文献
J-GLOBAL ID:201002292936495080
整理番号:10A0831245
GaNのためのK2S2O8-KOH光エッチング系
The K2S2O8-KOH photoetching system for GaN
著者 (5件):
WEYHER J.l.
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
TICHELAAR F.d.
(National Centre for HREM, Kavli Inst. of Nanoscience, Lorentzweg 1, 2628 CJ, Delft, NLD)
,
VAN DORP D.h
(Condensed Matter and Interfaces, Debye Inst. for NanoMaterials Sci., Utrecht Univ., 3584 CC Utrecht, NLD)
,
KELLY J.j.
(Condensed Matter and Interfaces, Debye Inst. for NanoMaterials Sci., Utrecht Univ., 3584 CC Utrecht, NLD)
,
KHACHAPURIDZE A.
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
312
号:
18
ページ:
2607-2610
発行年:
2010年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)