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文献
J-GLOBAL ID：201002292956281591
整理番号：10A0501003
低温真空アニールによるシリコン・ナノ粒子における欠陥の減少
Defect reduction in silicon nanoparticles by low-temperature vacuum annealing
NIESAR S.
(Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
,
STEGNER A. R.
(Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
,
PEREIRA R. N.
(Departamento de Fisica and I3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, PRT)
,
HOEB M.
(Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
,
WIGGERS H.
(Inst. fuer Verbrennung und Gasdynamik and CeNIDE, Center for NanoIntegration Duisburg-Essen, Universitaet ...)
,
BRANDT M. S.
(Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
,
STUTZMANN M.
(Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 19 ページ： 193112 発行年： 2010年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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