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文献
J-GLOBAL ID：201002293281005464
整理番号：10A0565079
内部線形アンテナ誘導結合プラズマ源によって堆積させた低温窒化シリコンの特性に対するDCバイアス電圧の影響
Effect of DC Bias Voltage on the Characteristics of Low Temperature Silicon-Nitride Films Deposited by Internal Linear Antenna Inductively Coupled Plasma Source
GWEON Gwang Ho
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LIM Jong Hyeuk
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
HONG Seung Pyo
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
YEOM Geun Young
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
YEOM Geun Young
(National Program for Tera-Level Nanodevices, Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 5,Issue 1 ページ： 056505.1-056505.5 発行年： 2010年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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