文献
J-GLOBAL ID:201002294061407860
整理番号:10A0134509
メサ周辺のGaNマイクロピラーとパターン化基板を使ったIII族窒化物系発光ダイオード
III-Nitride-Based Light-Emitting Diodes With GaN Micropillars Around Mesa and Patterned Substrate
著者 (6件):
PENG Li-Chi
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LAI Wei-Chih
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG Ming-Nan
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HSUEH Tao-Hung
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SHEI Shih-Chang
(National Univ. Tainan, Tainan, TWN)
,
SHEU Jinn-Kong
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
1
ページ:
140-144
発行年:
2010年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)