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文献
J-GLOBAL ID：201002294317563201
整理番号：10A0655106
Si-L23VV Auger電子-Si-2p光電子同時分光法を用いた清浄なSi(100)-2×1の原子価電子構造の表面部位選択的研究
Surface-Site-Selective Study of Valence Electronic Structures of Clean Si(100)-2×1 Using Si-L23VV Auger Electron-Si-2p Photoelectron Coincidence Spectroscopy
KAKIUCHI Takuhiro
(Ehime Univ., Matsuyama, JPN)
,
HASHIMOTO Shogo
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
FUJITA Narihiko
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
TANAKA Masatoshi
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
MASE Kazuhiko
(KEK, Ibaraki, JPN)
,
MASE Kazuhiko
(JST-PRESTO, Tokyo, JPN)
,
NAGAOKA Shin-ichi
(Ehime Univ., Matsuyama, JPN)
資料名：
Journal of the Physical Society of Japan
(Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 79 号： 6 ページ： 064714.1-064714.4 発行年： 2010年06月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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