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文献
J-GLOBAL ID：201002294431313088
整理番号：10A1126395
BD180LV-7~30Vの最良級LDMOSを用いた0.18μm BCD技術
BD180LV-0.18μm BCD Technology with Best-in-Class LDMOS from 7V to 30V
KO Kwang-Young
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
PARK Il-Yong
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
CHOI Yong-Keon
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
YOON Chul-Jin
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
MOON Ju-Hyoung
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
PARK Kyung-Min
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
LIM Hyon-Chol
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
PARK Soon-Yeol
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
KIM Nam-Joo
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
YOO Kwang-Dong
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
,
HUTTER Lou N.
(Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd ページ： 57-60 発行年： 2010年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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