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文献
J-GLOBAL ID：201002294516991034
整理番号：10A0686270
軸状その場ドーピングp-n接合ゲルマニウムナノワイヤの成長,電気整流,およびゲート制御
Growth, electrical rectification, and gate control in axial in situ doped p-n junction germanium nanowires
LE Son T.
(Dep. of Physics, Div. of Engineering, Brown Univ., Providence, Rhode Island 02912, USA)
,
JANNATY P.
(Dep. of Physics, Div. of Engineering, Brown Univ., Providence, Rhode Island 02912, USA)
,
ZASLAVSKY A.
(Dep. of Physics, Div. of Engineering, Brown Univ., Providence, Rhode Island 02912, USA)
,
DAYEH S. A.
(Center for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
,
PICRAUX S. T.
(Center for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 26 ページ： 262102 発行年： 2010年06月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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