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文献
J-GLOBAL ID：201002294969816276
整理番号：10A1451977
パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
Optimization of GaN film growth condition using pulse-mode hot-mesh CVD
永田一樹
(長岡技科大)
,
里本宗一
(長岡技科大)
,
片桐裕則
(長岡工高専)
,
神保和夫
(長岡工高専)
,
末光真希
(東北大 電通研)
,
遠藤哲郎
(東北大 学際科学国際高等研究セ)
,
伊藤隆
(東北大 電通研)
,
中澤日出樹
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
成田克
(山形大 工)
,
安井寛治
(長岡技科大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110 号： 261(CPM2010 91-107) ページ： 55-58 発行年： 2010年10月21日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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