文献
J-GLOBAL ID:201002294980021986
整理番号:10A0845889
SrZrO3ベースメモリフィルムの抵抗スイッチング特性とメカニズムに与えるバナジウムドーピングの効果
Effects of Vanadium Doping on Resistive Switching Characteristics and Mechanisms of SrZrO3-Based Memory Films
著者 (4件):
LIN Meng-Han
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Ming-Chi
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Chen-Hsi
(Winbond Electronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
TSENG Tseung-Yuen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
8
ページ:
1801-1808
発行年:
2010年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)