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文献
J-GLOBAL ID:201002295915461894   整理番号:10A0673073

積層金属前駆体の硫化により作製した三元Cu2SnS3及びCu3SnS4薄膜の研究

A study of ternary Cu2SnS3 and Cu3SnS4 thin films prepared by sulfurizing stacked metal precursors
著者 (4件):
FERNANDES P A
(Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
FERNANDES P A
(Instituto Politecnico do Porto, Porto, PRT)
SALOME P M P
(Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
DA CUNHA A F
(Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)

資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)

巻: 43  号: 21  ページ: 215403,1-11  発行年: 2010年06月02日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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