文献
J-GLOBAL ID:201002295915461894
整理番号:10A0673073
積層金属前駆体の硫化により作製した三元Cu2SnS3及びCu3SnS4薄膜の研究
A study of ternary Cu2SnS3 and Cu3SnS4 thin films prepared by sulfurizing stacked metal precursors
著者 (4件):
FERNANDES P A
(Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
,
FERNANDES P A
(Instituto Politecnico do Porto, Porto, PRT)
,
SALOME P M P
(Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
,
DA CUNHA A F
(Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
43
号:
21
ページ:
215403,1-11
発行年:
2010年06月02日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)