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文献
J-GLOBAL ID:201002297011553490   整理番号:10A1134976

厚み勾配のある多重量子井戸によるInGaN/GaN発光ダイオードの効率低下軽減

Efficiency droop alleviation in InGaN/GaN light-emitting diodes by graded-thickness multiple quantum wells
著者 (10件):
WANG C. H.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
CHANG S. P.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
CHANG W. T.
(Dep. of Electro-Physics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
LI J. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
LU Y. S.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
LI Z. Y.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
YANG H. C.
(R&D Div., Epistar Co. Ltd., Science-based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan)
KUO H. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
LU T. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
WANG S. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 97  号: 18  ページ: 181101  発行年: 2010年11月01日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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