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文献
J-GLOBAL ID：201002298449763469
整理番号：10A0235737
各種Si組成比をもつ非晶質In-Sn-Si-O薄膜トランジスタ
Amorphous In-Sn-Si-O Thin-Film Transistors Having Various Si Compositional Ratios
TAKECHI Kazushige
(Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN)
,
NAKATA Mitsuru
(Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI Shinya
(Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN)
,
TANABE Hiroshi
(NEC LCD Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
KANEKO Setsuo
(NEC LCD Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
KANEKO Setsuo
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 2,Issue 1 ページ： 028002.1-028002.2 発行年： 2010年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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