文献
J-GLOBAL ID:201002298687065397
整理番号:10A0772360
SiナノドットフローティングゲートMOSコンデンサにおける集団的電子移動に関する研究
Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor
著者 (10件):
MURAGUCHI Masakazu
(Tohoku Univ.)
,
SAKURAI Yoko
(Univ. Tsukuba)
,
TAKADA Yukihiro
(Univ. Tsukuba)
,
NOMURA Shintaro
(Univ. Tsukuba)
,
SHIRAISHI Kenji
(Univ. Tsukuba)
,
IKEDA Mitsuhisa
(Hiroshima Univ.)
,
MAKIHARA Katsunori
(Hiroshima Univ.)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Hiroshima Univ.)
,
SHIGETA Yasuteru
(Univ. Hyogo)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ.)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
110
号:
110(SDM2010 49-123)
ページ:
319-324
発行年:
2010年06月23日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)