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文献
J-GLOBAL ID：201002299326597200
整理番号：10A0235674
酸素イオン注入を用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの絶縁に関する電気的キャラクタリゼーションおよび透過型電子顕微鏡法評価
Electrical Characterization and Transmission Electron Microscopy Assessment of Isolation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Oxygen Ion Implantation
SHIU Jin-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LU Chung-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SU Ting-Yi
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Rong-Tan
(National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN)
,
ZIRATH Herbert
(Chalmers Univ. Technol., Gothenburg, SWE)
,
RORSMAN Niklas
(Chalmers Univ. Technol., Gothenburg, SWE)
,
CHANG Edward Yi
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 2,Issue 1 ページ： 021001.1-021001.5 発行年： 2010年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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