文献
J-GLOBAL ID:201002299377467858
整理番号:10A0162275
回路シミュレーションのためのバリスティックおよび非バリスティック効果をもつCNTトランジスタの高効率数値計算モデリング
Numerically Efficient Modeling of CNT Transistors With Ballistic and Nonballistic Effects for Circuit Simulation
著者 (4件):
KAZMIERSKI Tom J.
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
ZHOU Dafeng
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
AL-HASHIMI Bashir M.
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
ASHBURN Peter
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
9
号:
1
ページ:
99-107
発行年:
2010年01月
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)