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文献
J-GLOBAL ID：201002299754994310
整理番号：10A0238436
シリコンダイオードでの混合逆降伏現象を解析するための新エレクトロルミネセンス技術
Novel electroluminescence technique to analyze mixed reverse breakdown phenomena in silicon diodes
PLESSIS Monuko du
(Carl and Emily Fuchs Inst. for Microelectronics, Univ. of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa)
,
RADEMEYER Pieter
(InSiAva (Pty) Ltd., P.O. Box 14679, Hatfield 0028, Pretoria, South Africa)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 54 号： 4 ページ： 433-438 発行年： 2010年04月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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