文献
J-GLOBAL ID:201002299826661354
整理番号:10A0460782
GaAsバイポーラトランジスタ構造におけるピコ秒スイッチングの効率,安定性および信頼性に及ぼすエミッタ面積の重要な効果
Significant Effect of Emitter Area on the Efficiency, Stability and Reliability of Picosecond Switching in a GaAs Bipolar Transistor Structure
著者 (5件):
VAINSHTEIN Sergey N.
(Univ. Oulu, Oulu, FIN)
,
YUFEREV Valentin S.
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KOSTAMOVAARA Juha T.
(Univ. Oulu, Oulu, FIN)
,
KULAGINA Marina M.
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MOILANEN Hannu T.
(Univ. Oulu, Oulu, FIN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
4
ページ:
733-741
発行年:
2010年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)