文献
J-GLOBAL ID:201102200900936965
整理番号:11A0535398
AlGaN/GaNから成るヘテロ構造に形成される2DEGのP(VDF-TrFE)による変調
Modulation of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures by P(VDF-TrFE)
著者 (7件):
WANG Ze-Gao
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
CHEN Yuan-Fu
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
CHEN Chao
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
HAO Xin
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
LIU Xing-Zhao
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
ZHANG Wan-Li
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
LI Yan-Rong
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
26
号:
2
ページ:
025010,1-4
発行年:
2011年02月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)