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文献
J-GLOBAL ID：201102202212826903
整理番号：11A1514628
ナノメートルスケールのリンドープ絶縁体上シリコン電界効果トランジスタに於けるドナーによる光励起電子の捕獲
Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors
UDHIARTO Arief
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
MORARU Daniel
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
MIZUNO Takeshi
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
TABE Michiharu
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 11 ページ： 113108 発行年： 2011年09月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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