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文献
J-GLOBAL ID：201102202740284284
整理番号：11A0825266
Al2O3-InGaAs MOSデバイスにおけるボーダートラップにおける分散モデル
A Distributed Model for Border Traps in Al2O3-InGaAs MOS Devices
YUAN Yu
(Univ. California-San Diego, CA, USA)
,
WANG Lingquan
(Univ. California-San Diego, CA, USA)
,
YU Bo
(Univ. California-San Diego, CA, USA)
,
SHIN Byungha
(Stanford Univ., CA, USA)
,
AHN Jaesoo
(Stanford Univ., CA, USA)
,
MCINTYRE Paul C.
(Stanford Univ., CA, USA)
,
ASBECK Peter M.
(Univ. California-San Diego, CA, USA)
,
RODWELL Mark J. W.
(Univ. California, CA, USA)
,
TAUR Yuan
(Univ. California-San Diego, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 32 号： 4 ページ： 485-487 発行年： 2011年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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