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文献
J-GLOBAL ID：201102202774795652
整理番号：11A1594585
パターン形成されたサファイア基板(PSSs)上の深紫外線(DUV)AlGaN発光ダイオード
AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates
KIM Myunghee
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
FUJITA Takehiko
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
FUKAHORI Shinya
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
INAZU Tetsuhiko
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
PERNOT Cyril
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NAGASAWA Yosuke
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
HIRANO Akira
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
IPPOMMATSU Masamichi
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
IWAYA Motoaki
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEUCHI Tetsuya
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
KAMIYAMA Satoshi
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMAGUCHI Masahito
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HONDA Yoshio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO Hiroshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI Isamu
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 4 号： 9 ページ： 092102.1-092102.3 発行年： 2011年09月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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