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文献
J-GLOBAL ID：201102203338992783
整理番号：11A1159961
光増強化学酸化法による100GHzデプリーションモードGa2O3/GaN単一ナノワイヤMOSFET
100GHz depletion-mode Ga2O3/GaN single nanowire MOSFET by photo-enhanced chemical oxidation method
YU Jeng-Wei
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
WU Yuh-Renn
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HUANG Jian-Jang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
PENG Lung-Han
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 680-683 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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