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文献
J-GLOBAL ID：201102206293350504
整理番号：11A1159991
低k/極端低k誘電体TDDBの温度依存活性化エネルギーを記述する包括的な絶縁破壊モデル
A Comprehensive Breakdown Model Describing Temperature Dependent Activation Energy of Low-κ/Extreme Low-κ Dielectric TDDB
CHANG M.N.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
RANJAN R.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE Y.-H.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE S.Y.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
WANG C.S.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
SHIH J.R.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHIU C.C.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
WU K.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 800-803 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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