文献
J-GLOBAL ID:201102207125755350
整理番号:11A1558183
25nm MOSFETデバイスをモデル化する有効ポテンシャル・アプローチ
An effective potential approach to modeling 25 nm MOSFET devices
著者 (3件):
AHMED S.
(Southern Illinois Univ., Dep. of Electrical and Computer Engineering, 62901, Carbondale, IL, USA)
,
RINGHOFER C.
(Arizona State Univ., Dep. of Mathematics, 85287, Tempe, AZ, USA)
,
VASILESKA D.
(Arizona State Univ., Dep. of Electrical Engineering, 85281, Tempe, AZ, USA)
資料名:
Journal of Computational Electronics
(Journal of Computational Electronics)
巻:
9
号:
3-4
ページ:
197-200
発行年:
2010年12月
JST資料番号:
A1072A
ISSN:
1569-8025
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)