文献
J-GLOBAL ID:201102207201872956
整理番号:11A1777757
熱酸化AlInN/AlN/GaNベース金属-酸化物-半導体へテロ電界効果トランジスタの電気的特性
Electrical properties of thermally oxidized AlInN/AlN/GaN-based metal oxide semiconductor hetero field effect transistors
著者 (11件):
EICKELKAMP M.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
WEINGARTEN M.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
RAHIMZADEH KHOSHROO L.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
KETTENISS N.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
BEHMENBURG H.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
HEUKEN M.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
DONOVAL D.
(Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK)
,
CHVALA A.
(Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK)
,
KORDOS P.
(Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK)
,
KALISCH H.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
,
VESCAN A.
(RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
110
号:
8
ページ:
084501
発行年:
2011年10月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)