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文献
J-GLOBAL ID:201102208191620658   整理番号:11A1423387

Si基板上のIII-Vナノワイヤ:選択領域成長と素子への応用

III-V Nanowires on Si Substrate: Selective-Area Growth and Device Applications
著者 (7件):
TOMIOKA Katsuhiro
(Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN)
TOMIOKA Katsuhiro
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
TANAKA Tomotaka
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
TANAKA Tomotaka
(Asahi Kasei Corp., Tokyo, JPN)
HARA Shinjiro
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
HIRUMA Kenji
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
FUKUI Takashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)

巻: 17  号:ページ: 1112-1129  発行年: 2011年07月 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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