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文献
J-GLOBAL ID：201102208195018065
整理番号：11A0571873
スパッタした平坦なGe層上に形成したSi/Ge正孔トンネリング2重障壁共鳴トンネルダイオード
Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers
HANAFUSA Hiroaki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
HIROSE Nobumitsu
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KASAMATSU Akifumi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
CHONG Harold M. H.
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
MIZUTA Hiroshi
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
,
SUDA Yoshiyuki
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 4 号： 2 ページ： 024102.1-024102.3 発行年： 2011年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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