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文献
J-GLOBAL ID：201102208287461100
整理番号：11A0807160
格子整合InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における障壁内での電子蓄積を阻止するためのAl0.44Ga0.56Nスペーサ層
Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures
AKAZAWA M.
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
GAO B.
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
HASHIZUME T.
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
HIROKI M.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
YAMAHATA S.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
SHIGEKAWA N.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 98 号： 14 ページ： 142117 発行年： 2011年04月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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