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文献
J-GLOBAL ID：201102209544481980
整理番号：11A0467164
強誘電体ゲートのためのSr0.8Bi2.2Ta2O9およびSr0.8Bi2.2Ta2O9-BaZrO3を用いた金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の特性評価
Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using Sr0.8Bi2.2Ta2O9 and Sr 0.8Bi2.2Ta2O9-BaZrO3 for ferroelectric gates
BOZGEYIK M.S.
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
SHINOZAKI K.
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
CROSS J.S.
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
ISHIWARA H.
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
BOZGEYIK M.S.
(Kahramanmaras Sutcu Imam Univ., Kahramanmaras, TUR)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 87 号： 11 ページ： 2173-2177 発行年： 2010年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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