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文献
J-GLOBAL ID：201102209573495019
整理番号：11A0181642
AlGaN/GaNヘテロ接合での分布表面ドナー状態と2次元電子ガス
Distributed surface donor states and the two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterojunctions
GORDON Luke
(Univ. Dublin, Trinity College, IRL)
,
GORDON Luke
(Univ. California, CA, USA)
,
MIAO Mao-Sheng
(Univ. California, CA, USA)
,
CHOWDHURY Srabanti
(Univ. California, CA, USA)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA Umesh K
(Univ. California, CA, USA)
,
VAN DE WALLE Chris G
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43 号： 50 ページ： 505501,1-8 発行年： 2010年12月22日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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