文献
J-GLOBAL ID:201102210701351287
整理番号:11A0926842
TiO2/SiO2反射体及び粗化GaOx表面膜を有する垂直型GaNベース発光ダイオードの光出力の増倍
Enhanced Light Output of Vertical-Structured GaN-Based Light-Emitting Diodes with TiO2/SiO2 Reflector and Roughened GaOx Surface Film
著者 (7件):
LEE Wei-Chi
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Shui-Jinn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
UANG Kai-Ming
(WuFeng Univ., Chia-yi Country, TWN)
,
CHEN Tron-Min
(WuFeng Univ., Chia-yi Country, TWN)
,
KUO Der-Ming
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Pei-Ren
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Po-Hung
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
4,Issue 2
ページ:
04DG06.1-04DG06.4
発行年:
2011年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)