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文献
J-GLOBAL ID:201102212048570760   整理番号:11A1135130

高純度めっき材料を用いた低抵抗率Cu配線形成プロセスの8インチウエハによる検証

Investigation of the Low Resistivity Cu Wire Formation in the 8 Inch Wafer Using Ultra-High Purity Plating Materials
著者 (7件):
田代優
(茨城大学工学部マテリアル工学科)
門田裕行
(日立協和エンジニアリング株式会社デバイスシステムセンタ)
伊藤雅彦
(茨城大学工学部マテリアル工学科)
打越雅仁
(東北大学多元物質科学研究所)
三村耕司
(東北大学多元物質科学研究所)
一色実
(東北大学多元物質科学研究所)
大貫仁
(茨城大学工学部マテリアル工学科)

資料名:
日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)

巻: 75  号:ページ: 386-391 (J-STAGE)  発行年: 2011年 
JST資料番号: G0023A  ISSN: 0021-4876  CODEN: NIKGAV  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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