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文献
J-GLOBAL ID：201102213184499138
整理番号：11A0646179
ナノプローブインデンテーションに起因するInGaAs/GaAs量子ドットの光ルミネセンス消光の機構
Mechanism of Photoluminescence Quenching of InGaAs/GaAs Quantum Dots Resulting from Nanoprobe Indentation
XU Lixia
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
ARAI Yoshio
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
OZASA Kazunari
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
KAKOI Hiroki
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
LIANG Yuan-Hua
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
ARAKI Wakako
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 11 号： 1 ページ： 106-114 発行年： 2011年01月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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