前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201102214062284862
整理番号：11A1568594
直接ウエハ接合を用いた自己整合Ni系金属S/D型InGaAs nMOSFETのCMOS集積化
CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding
YOKOYAMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KIM S. H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ZHANG R.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAOKA N.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
URABE Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKAGI H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YASUDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMADA H.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
ICHIKAWA O.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
FUKUHARA N.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
HATA M.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SUGIYAMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANO Y.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011 ページ： 60-61 発行年： 2011年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。