文献
J-GLOBAL ID:201102214929243960
整理番号:11A0925095
二段階酸化による高電子移動度Ge/GeO2n-MOSFET
High-Electron-Mobility Ge/GeO2 n-MOSFETs With Two-Step Oxidation
著者 (10件):
LEE Choong Hyun
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
LEE Choong Hyun
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA Tomonori
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA Tomonori
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
NAGASHIO Kosuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAGASHIO Kosuke
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KITA Koji
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KITA Koji
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TORIUMI Akira
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
58
号:
5
ページ:
1295-1301
発行年:
2011年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)