文献
J-GLOBAL ID:201102215783085956
整理番号:11A0101415
半導体における浅い不純物中心の中心内遷移に関する分布反転の温度依存性
Temperature Dependence of Inverse Population on Intracenter Transitions of Shallow Impurity Centers in Semiconductors
著者 (1件):
ORLOVA E. E.
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
44
号:
11
ページ:
1457-1463
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)