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文献
J-GLOBAL ID：201102215847597085
整理番号：11A1159952
埋め込み相変化メモリのための性能ブースタとしてのNドープGeTe
N-doped GeTe as Performance Booster for Embedded Phase-Change Memories
FANTINI A.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
SOUSA V.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
PERNIOLA L.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
GOURVEST E.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
GOURVEST E.
(STMicroelectronics)
,
GOURVEST E.
(LTM, CNRS, FRA)
,
BASTIEN J C
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
MAITREJEAN S.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BRAGA S.
(Universita degli Studi di Pavia, ITA)
,
PASHKOV N.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BASTARD A.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BASTARD A.
(STMicroelectronics)
,
HYOT B.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
ROULE A.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
PERSICO A.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
FELDIS H.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
JAHAN C.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
NODIN J F
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BLACHIER D.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
TOFFOLI A.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
REIMBOLD G.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
FILLOT F.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
PIERRE F.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
ANNUNZIATA R.
(STMicroelectronics)
,
BENSHAEL D.
(STMicroelectronics)
,
MAZOYER P.
(STMicroelectronics)
,
VALLEE C.
(LTM, CNRS, FRA)
,
BILLON T.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
HAZART J.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
DE SALVO B.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BOULANGER F.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 644-647 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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