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文献
J-GLOBAL ID：201102216138227475
整理番号：11A0154535
RFスパッタリング技術を用いて成膜した(400)配向インジウムスズ酸化物薄膜の構造,光電子およびモルフォロジー特性への基板の役割
Role of substrate temperature on the structural, optoelectronic and morphological properties of (400) oriented indium tin oxide thin films deposited using RF sputtering technique
MALATHY V.
(National Inst. Technol., Trichy, IND)
,
SIVARANJANI S.
(Anna Univ., Trichy, IND)
,
VIDHYA V. S.
(Central Electrochemical Res. Inst., Karaikudi, IND)
,
BALASUBRAMANIAN T.
(National Inst. Technol., Trichy, IND)
,
PRINCE J. Joseph
(Anna Univ., Trichy, IND)
,
SANJEEVIRAJA C.
(Alagappa Univ., Karaikudi, IND)
,
JAYACHANDRAN M.
(Central Electrochemical Res. Inst., Karaikudi, IND)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 21 号： 12 ページ： 1299-1307 発行年： 2010年12月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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