文献
J-GLOBAL ID:201102216630141152
整理番号:11A1516213
(Pb0.5Sn0.5)1-xInxTe固溶体におけるインジウム不純物準位によって誘導される低温電気伝導率と超伝導体-絶縁体推移
Low-temperature electrical conductivity and the superconductor-insulator transition induced by indium impurity states in (Pb0.5Sn0.5)1 - xInxTe solid solutions
著者 (4件):
SHAMSHUR D. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
PARFEN’EV R. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
CHERNYAEV A. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
NEMOV S. A.
(St. Petersburg State Polytechnical Univ., Politekhnicheskaya ul. 29, 195251, St. Petersburg, RUS)
資料名:
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻:
52
号:
9
ページ:
1815-1819
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
W0823A
ISSN:
1063-7834
CODEN:
PSOSED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)