文献
J-GLOBAL ID:201102217195033705
整理番号:11A0181937
浮遊ゲートNAND型フラッシュメモリストリングにおけるランダム電信雑音によるしきい値電圧揺らぎ
Threshold Voltage Fluctuation by Random Telegraph Noise in Floating Gate NAND Flash Memory String
著者 (7件):
JOE Sung-Min
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YI Jeong-Hyong
(Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR)
,
PARK Sung-Kye
(Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR)
,
SHIN Hyungcheol
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Young June
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
58
号:
1
ページ:
67-73
発行年:
2011年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)