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文献
J-GLOBAL ID：201102217201737221
整理番号：11A0143254
強誘電体ゲート電界効果トランジスタによる0.5V6トランジスタスタティックランダムアクセスメモリ
A 0.5-V Six-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors
TANAKAMARU Shuhei
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HATANAKA Teruyoshi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAJIMA Ryoji
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIYAJI Kousuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI Mitsue
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKAI Shigeki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKEUCHI Ken
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 12 ページ： 121501.1-121501.8 発行年： 2010年12月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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