文献
J-GLOBAL ID:201102217711845878
整理番号:11A1353879
素子マトリクスアレイを用いることによるSRAM雑音余裕と個別セルトランジスタ変動性間相関関係の直接測定
Direct Measurement of Correlation Between SRAM Noise Margin and Individual Cell Transistor Variability by Using Device Matrix Array
著者 (11件):
HIRAMOTO Toshiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
,
SUZUKI Makoto
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SONG Xiaowei
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIMIZU Ken
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SARAYA Takuya
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIDA Akio
(MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
,
TSUNOMURA Takaaki
(MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
,
KAMOHARA Shiro
(MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
,
TAKEUCHI Kiyoshi
(MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
,
MOGAMI Tohru
(MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
58
号:
8
ページ:
2249-2256
発行年:
2011年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)