文献
J-GLOBAL ID:201102217880551840
整理番号:11A0184199
照射したキャパシタレスMSDRAMセルの特性に及ぼすトータルドーズ効果
Total Dose Effects on the Performance of Irradiated Capacitorless MSDRAM Cells
著者 (6件):
EL-MAMOUNI Farah
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
BAWEDIN Maryline
(IMEP-INP Grenoble MINATEC, Grenoble, FRA)
,
ZHANG Enxia X.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SCHRIMPF Ronald D.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
FLEETWOOD Daniel M.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
CRISTOLOVEANU Sorin
(IMEP-INP Grenoble MINATEC, Grenoble, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
57
号:
6,Pt.1
ページ:
3054-3059
発行年:
2010年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)