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文献
J-GLOBAL ID：201102217907391204
整理番号：11A1159992
SRAM装荷pMOSFETの故障ビットゲートにおける異常りん拡散に関する高分解能走査拡がり抵抗顕微鏡法(SSRM)による直接観察
Direct Visualization of Anomalous-Phosphorus Diffusion in Failure-Bit Gates of SRAM-Load pMOSFETs with High-Resolution Scanning Spreading Resistance Microscopy
ZHANG Li
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HARA Keiryo
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KINOSHITA Atsuhiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HASHIMOTO Tsuneyuki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HAYASE Youhei
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KURIHARA Michio
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HAGISHIMA Daisuke
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ISHIKAWA Takayuki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKENO Shiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 804-807 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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