文献
J-GLOBAL ID:201102218166330594
整理番号:11A1038462
ケイ素ナノワイヤにおける異方性リチウム挿入挙動:結合エネルギー,拡散障壁及び歪効果
Anisotropic Lithium Insertion Behavior in Silicon Nanowires: Binding Energy, Diffusion Barrier, and Strain Effect
著者 (3件):
ZHANG Qianfan
(Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
CUI Yi
(Stanford Univ., California, USA)
,
WANG Enge
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
115
号:
19
ページ:
9376-9381
発行年:
2011年05月19日
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)