文献
J-GLOBAL ID:201102219553963143
整理番号:11A0140698
性能増強のためのチャネル近接シリコン-炭素ソース/ドレインストレッサを持つ歪nチャネル電界効果トランジスタ
Strained n-Channel Field-Effect Transistors with Channel Proximate Silicon-Carbon Source/Drain Stressors for Performance Enhancement
著者 (9件):
KOH Shao-Ming
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
WONG Hoong-Shing
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
GONG Xiao
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
NG Chee-Mang
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Private Ltd., Singapore)
,
VARIAM Naushad
(Varian Semiconductor, Massachusetts, USA)
,
HENRY Todd
(Varian Semiconductor, Massachusetts, USA)
,
EROKHIN Yuri
(Varian Semiconductor, Massachusetts, USA)
,
SAMUDRA Ganesh S.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YEO Yee-Chia
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
157
号:
12
ページ:
H1088-H1094
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)