文献
J-GLOBAL ID:201102220519487748
整理番号:11A1393941
走査型トンネル顕微鏡法によるSi(111)上のGaSb初期成長層の研究
Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy
著者 (8件):
HARA Shinsuke
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
FUSE Kazuhiro
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
MACHIDA Ryuto
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
YAGISHITA Kazuki
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
IROKAWA Katsumi
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
MIKI Hirofumi
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
KAWAZU Akira
(Tokyo Denki Univ., Saitama, JPN)
,
FUJISHIRO Hiroki I.
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
8,Issue 4
ページ:
08LB03.1-08LB03.6
発行年:
2011年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)