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文献
J-GLOBAL ID:201102220550638487   整理番号:11A1421546

放射線誘導性耐欠損性の測定結果に基づき最適にドープされたLa2-xSrxCuO4の電気輸送モデルに対する制約

Constraints on Models of Electrical Transport in Optimally Doped La2-xSrxCuO4 from Measurements of Radiation-Induced Defect Resistance
著者 (10件):
CLAYHOLD J. A.
(Miami Univ., Dep. of Physics, 45056, Oxford, OH, USA)
PELLEG O.
(Brookhaven National Lab., 11973-5000, Upton, NY, USA)
INGRAM D. C.
(Ohio Univ., Dep. of Physics and Astronomy, 45701, Athens, OH, USA)
BOLLINGER A. T.
(Brookhaven National Lab., 11973-5000, Upton, NY, USA)
LOGVENOV G.
(Brookhaven National Lab., 11973-5000, Upton, NY, USA)
RENCH D. W.
(Miami Univ., Dep. of Physics, 45056, Oxford, OH, USA)
KERNS B. M.
(Miami Univ., Dep. of Physics, 45056, Oxford, OH, USA)
SCHROER M. D.
(Miami Univ., Dep. of Physics, 45056, Oxford, OH, USA)
SUNDLING R. J.
(ZenSoft Inc., 53705, Madison, WI, USA)
BOZOVIC I.
(Brookhaven National Lab., 11973-5000, Upton, NY, USA)

資料名:
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism  (Journal of Superconductivity and Novel Magnetism)

巻: 23  号:ページ: 339-342  発行年: 2010年04月 
JST資料番号: W0180A  ISSN: 1557-1939  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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