文献
J-GLOBAL ID:201102220848275816
整理番号:11A1619513
単分子層MoS2トランジスタはどれほど良好になり得るか?
How Good Can Monolayer MoS2 Transistors Be?
著者 (3件):
YOON Youngki
(Univ. California, California, USA)
,
GANAPATHI Kartik
(Univ. California, California, USA)
,
SALAHUDDIN Sayeef
(Univ. California, California, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
11
号:
9
ページ:
3768-3773
発行年:
2011年09月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)