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文献
J-GLOBAL ID：201102221676907684
整理番号：11A1101395
X線蛍光ホログラフィーによるIV-VI強磁性半導体Ge0.6Mn0.4TeにおけるGe原子近傍の局所構造
Local Structure around Ge Atoms in IV-VI Ferromagnetic Semiconductor Ge0.6Mn0.4Te by X-Ray Fluorescence Holography
HAPPO Naohisa
(Graduate School of Information Sciences, Hiroshima City Univ., JPN)
,
TAKEHARA Yuki
(Graduate School of Information Sciences, Hiroshima City Univ., JPN)
,
FUJIWARA Makoto
(Graduate School of Information Sciences, Hiroshima City Univ., JPN)
,
TANAKA Koichi
(Graduate School of Information Sciences, Hiroshima City Univ., JPN)
,
SENBA Shinya
(Dep. of Electirical Engineering, Ube National Coll. of Technol., JPN)
,
HOSOKAWA Shinya
(Center for Materials Res. Using Third-Generation Synchrotron Radiation Facilities, Hiroshima Inst. of Technol., JPN)
,
HAYASHI Kouichi
(Inst. of Materials Res., Tohoku Univ., JPN)
,
HU Wen
(SPring-8/JAEA, JPN)
,
SUZUKI Motohiro
(SPring-8/JASRI, JPN)
,
ASADA Hironori
(Graduate School of Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., JPN)
資料名：
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)
(e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 9 ページ： 247-250 (J-STAGE) 発行年： 2011年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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